国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有自对准接触的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN121398110A，申请日期为2025年2月。

　　专利摘要显示，本公开提供一种具有自对准接触的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一鳍片；位于该鳍片上的一栅极结构，其中该栅极结构包括一栅极介电层、一栅极底部导电层、一栅极顶部导电层、和一栅极覆盖层；位于该鳍片的两侧上的多个杂质区域；相应地位于所述多个杂质区域上的多个接触；以及相应地位于所述多个接触上的多个导电覆盖层；其中所述多个接触包括相应地位于所述多个杂质区域上的多个较低部分、相应地位于所述多个较低部分上的多个中间部分、以及相应地位于所述多个中间部分上的多个较高部分。

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